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Angedacht ist das für die Ansteuerung und Trennung von parallel geschalteten NiCd Baby und Mono - Zellen.
Da ist nichts falsch dran, außer, dass man die 18 Volt-Begrenzung für die Mosfetgates gemeinsam für alle Stränge verwenden kann. Der Kondensator und der parallelgeschaltete Widerstand sollten entfallen, dafür wird direkt vor das gate ein Widerstand von beispielsweise 1 kOhm gelegt, der zusammen mit der gate- drainkapazität für ein sinnvolles Ausschalttiming sorgt. Normalerweise beträgt dieser Widerstand 10 Ohm bei Leistungsmosfets. Da hier nur relativ selten geschaltet wird, sind höhere Werte zulässig. Im Curtis haben diese Widerstände 100 oder 150 Ohm. Eine einzige, gegen source geschaltete Zenerdiode von 18 Volt genügt, die Spannung für die gates werden durch einzelne Dioden zur Zenerdiode begrenzt. IRF1405 ist zum Beispiel ein geeigneter Transistor, wenn keine Spannungsspitzen auftreten. Wenn doch, genügt es, den gatewiderstand weiter zu erhöhen, notfalls noch einen Kondensator zwischen gate und drain (!) einfügen. Bei der Ladeelektronik müssen wir uns noch was Schönes einfallen lassen. Ich bin für das Superabschaltoptierer-IC, das wir reihum an alle packs legen. Den berüchtigten Impuls zaubern wir dann einfach hinzu. Roman sendet die Unterlagen mit dem Zauberspruch und dem Namen des Zauber-ICs. Die Mosfets für die Ladeelektronik erhalten ebenfalls den erwähnten gatewiderstand, den wir auch noch mächtig vergrößern können, um das Zeitverhalten des Laderegelkreises in sichere Bahnen zu lenken. Bitte ändern, wenn berücksichtigt.